根据设计图制作掩模,以供后续光刻步骤使用。
而IC制造,就是半导体芯片的制造了。
一般,要实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上,并实现预定的芯片功能。
包括了光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。
至于IC封测,就是完成对芯片的封装和性能、功能测试,是产品交付前的最后工序。
IC设计就不提了,苏扬有苹果A6处理器的技术,其中就包括了32nm芯片的设计。
另外,商城挂着的inter酷睿系列,也有45nm——14nm芯片的工艺技术。
而在IC制造中,光刻又是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。
其中的难点和关键点,在于将电路图从掩模上转移至硅片上。
这一过程,目前只能通过光刻,才能最有效地实现。
所以,光刻的工艺水平,往往直接决定了芯片的制程水平和性能水平。
安正国找来技术人员和材料,在苏扬的指导下,这些专业生产芯片的员工,初步了解到这台光刻机的使用流程。
光刻的原理,实际上非常简单。
在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性的光刻胶,再用光线透过掩模照射在硅片表面。
被光线照射到的光刻胶,会发生反应。
此后,再用特定的溶剂洗去被照射或未被照射的光刻胶,就实现了电路图从掩模到硅片的转移。
这和华夏古代的印刷术,实际上有一些相似之处,但光刻技术却比印刷术难了千万倍。
一般的光刻步骤,有气相成底膜、旋转涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜。
接着,就是进行检测,主要是显影检测,让合规的硅片进入后续的蚀刻流程。
所谓蚀刻,便是通过化学或物理的方法,有选择地从硅片表面,除去不需要材料的过程。
完成之后,就能通过特定溶剂,洗去硅片表面残余的光刻胶了。
当然,这是最简易的光刻步骤,在实际生产制造中,比这复杂了上百倍。
从开始光刻,到最后洗去残余的光刻胶,几个步骤,就足足花了三个多小时。
当然,这里面也有一些员工刚刚接触新设备,操作不顺手的因素。
当时间来到下午四点半的时候。
车间内,一片惊喜和欢腾的景象。
“出来了,居然真的做出来了!”
“60nm的电路图,居然真的被我们转移到了硅片上。”
“不可思议啊!全华夏能做60nm芯片的企业,不超过三家,而且全是在18年下半年才刚刚突破的技术,还是在实验室里!做到量产的话,得到今年年底,甚至是明年年初去了。”
“是啊,而我们现在,却拥有了一台可以量产60nm芯片的光刻机,如果操作熟练了,速度提上去,再进行交替光刻,一天至少可以造上数百片12寸的圆晶啊!”
“这是一个突破,了不起的突破,如果我们把这里发生的事情,宣布出去,足以震惊整个华夏,乃至是中央都要被惊动!”
华夏在半导体行业,被压了太多年了。
从上个世纪以来,就一直跟在西方国家的屁股后面跑,说是向人家乞讨技术也不为过。
虽然60nm芯片的量产,和45nm芯片的量产,还有一定的差距。
但是,在工艺水平上,也能证明华夏没比inter等落后太多了。
这是一个十分涨士气的突破。
一旁,刘元龙沉声道:“各位,你们难道没有意识到吗?刚才我们用的,只是这台光刻机最底线的精度!”
这话一出,几名兴奋的家伙,立刻止住了话音,转而张了张嘴巴,眼睛立刻挣得大大的。
“是啊,刚才用的还是最低的精度!”
“没错,往上一个刻度的话,岂不是意味着……45nm甚至32nm的芯片也有可能了?”
“不对,我之前看过一篇学术报告,EUV光刻技术的真正领域,是32nm,不,是22nm以下的领域!”
“22nm以下,这……这也太疯狂了吧。”
“……”
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